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FQPF19N20中文资料

FQPF19N20图片

FQPF19N20外观图

  • 大小：530KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 11.8A TO-220F
  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：QFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11.8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 5.9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：40nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1600pF @ 25V
  • 功率 - 最大：50W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装：TO-220F
  • 包装：管件

FQPF19N20供应商

更新时间:2023-01-05 15:32:18
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